前段时间，佳能公司推出一款名为FPA-1200NZ2C的纳米压印光刻（NIL）半导体设备。据介绍，纳米压印光刻是指将带有半导体电路图案的掩模压印在晶圆上，只需一个印记，就可以在适当的位置形成复杂的2D或3D电路图案，因此只需要不断改进掩模，甚至能生产2nm芯片。

与荷兰ASML公司那种通过反射光工作的极紫外光刻技术不同，日本佳能公司研究的纳米压印技术是将电路图案直接印在晶圆上，从而制造出据称几何形状与最先进节点相当的芯片，但速度要慢得多。

同时，这种纳米压印技术的生产成本要比ASML现有的光刻技术低得多。佳能公司目前收到了来自半导体制造商、大学和研究机构的大量询问，客户预估该技术可以作为ASML光刻机的替代品，有望生产包括闪存、个人计算机的 DRAM 和逻辑 IC 等各种半导体。